การศึกษากระบวนการสร้างและคุณลักษณะทางไฟฟ้าของเอ็นมอสขนาด 0.5 ไมครอน Study of Fabrication and Electrical Characteristics of NMOS 0.50 Micron
| Main Author: | รังสรรค์ เมืองเหลือ |
|---|---|
| Other Authors: | อนุชา เรื่องพานิช |
| Format: | ARTICLES |
| Language: | Thai |
| Subjects: |
CMOS
MOSFET SPICE ซีมอส มอสเฟส สไปซ์ |
| Tags: |
Add
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| LEADER | 01300nab a2200205 a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 1019164 | ||
| 003 | Th-MUT | ||
| 008 | 180510s2559||||th | 0 ||tha|d | ||
| 093 | |a TA157 ว7 | ||
| 100 | 0 | |a รังสรรค์ เมืองเหลือ | |
| 245 | 1 | 0 | |a การศึกษากระบวนการสร้างและคุณลักษณะทางไฟฟ้าของเอ็นมอสขนาด 0.5 ไมครอน Study of Fabrication and Electrical Characteristics of NMOS 0.50 Micron |
| 650 | 7 | |a CMOS | |
| 650 | 7 | |a MOSFET | |
| 650 | 7 | |a SPICE | |
| 650 | 7 | |a ซีมอส | |
| 650 | 7 | |a มอสเฟส | |
| 650 | 7 | |a สไปซ์ | |
| 700 | 0 | |a อนุชา เรื่องพานิช | |
| 773 | 0 | |t วิศวสารลาดกระบัง (TA157 ว7) |g ปีที่ 33 ฉบับที่ 3 (กันยายน 2559) หน้า 8-15 | |
| 991 | |a ARTICLES |b 1 |c 2018-05-10 00:00:00 |d 2021-09-02 12:08:16 |e mut |f n |g 2018-05-10 |h n |i a |j b |k |l a |m |n a |o |p s |q |r th |s tha |t 2559 |v การศึกษากระบวนการสร้างและคุณลักษณะทางไฟฟ้าของเอ็นมอสขนาด 0.5 ไมครอน Study of Fabrication and Electrical Characteristics of NMOS 0.50 Micron | ||